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中国NAND闪存技术取得重大突破
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日前，中国紫光集团旗下的长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。经过多年的努力，紫光在存储芯片上的高额投资终于收获硕果。本次长江存储量产64层NAND，一定程度上缓解了三星、SK海力士、镁光等公司的垄断局面，在当下的国际环境下，格外具有意义。
NAND闪存是固态硬盘、U盘、数码相机和手机等数码设备的重要部件。一直以来，存储芯片市场一直被三星、海力士、东芝、镁光等大厂垄断，三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额，其中三星是领头羊，市场份额约38%。在DRAM市场，三星、SK海力士、镁光占据了超过90%的市场份额，其中两家韩国企业三星和SK海力士的市场份额加起来高达70%左右。中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断，特别是韩国企业拥有非常高的市场份额，这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。进而使华为、小米、OPPO、VIVO等整机厂商深受其害。本次，长江存储在NAND上取得突破，是十多年持续研发的成果。
就技术引进来说，紫光曾经试图以每股21美元，总价230亿美元的价格全面收购镁光，结果没能完成收购。紫光也试图以38亿美元收购西部数据15%股权，然后由西部数据出资190亿美元“曲线收购”闪迪，结果因受外部势力干涉最终不得不终止。之后，还传出紫光试图出资53亿美元收购SK海力士20%的股份，但该收购传闻最终也没有结果。
在海外收购频频碰壁的同时，紫光通过引进人才，坚持“自己的技术要靠自己研发”。通过不懈的努力，长江存储在2017年完成32层NAND的小批量生产，在2019年完成了64层NAND量产。
长江存储本次发布的64层NAND采用了Xtacking架构。利用这一独创的技术，长江存储3D NAND闪存使得产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比传统3D NAND拥有更高的存储密度。这使得紫光的64层的3D NAND单位面积的存储密度可以接近国际大厂的96层3D NAND。
期待在3至5年后，国人日常办公写的文稿，外出旅游的拍的照片，能够存储在国产的NAND里。
另据韩国媒体报道，美光CEO Sanjay Mehrotra近期访问了中国紫光集团，虽然外界并不知晓双方具体谈了什么，但是这个消息还是让韩国两大存储芯片公司三星、SK海力士绷紧了神经。
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